TSM900N06CW RPG 기술 사양
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CW RPG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CW RPG과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Taiwan Semiconductor | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 90mOhm @ 6A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 4.17W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 500 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) | |
기본 제품 번호 | TSM900 |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | TSM900N06CW RPG | TSM850N06CX RFG | TSM80N950CP | TSM80N1R2CP |
제조사 | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 500 pF @ 15 V | 529 pF @ 30 V | 691 pF @ 100 V | 685 pF @ 100 V |
제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | SOT-23 | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) |
기본 제품 번호 | TSM900 | TSM850 | TSM80 | TSM80 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) | 3A (Tc) | 6A (Tc) | 5.5A (Tc) |
전력 소비 (최대) | 4.17W (Tc) | 1.7W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 60 V | 800 V | 800 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V | 19.6 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 90mOhm @ 6A, 10V | 85mOhm @ 2.3A, 10V | 950mOhm @ 3A, 10V | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
FET 특징 | - | - | - | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
연속 | - | - | - | - |
TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation에 대한 TSM900N06CW RPG PDF 데이터 시트 및 Taiwan Semiconductor Corporation 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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